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MPSA64 H /达林顿晶体管 PNP 30Vcbo 30Vces 10Vebo 500mA 625mW
MPSA64 H的规格信息
MPSA64 H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

最大直流电集电极电流:500 mA

最大集电极截止电流:100 nA

Pd-功率耗散:625 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MPSA63

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:500 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:20000

增益带宽产品fT:125 MHz

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

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MPSA64 HCentral Semiconductor达林顿晶体管 PNP 30Vcbo 30Vces 10Vebo 500mA 625mW2,500:¥1.1413
10,000:¥1.05994
25,000:¥1.00683
50,000:¥0.9831